產(chǎn)品詳情
簡單介紹:
晶體管類型 : P溝道MOSFET
*大功耗PD : 1.25W
柵極門限電壓VGS : 2.5V(典型值)
漏源電壓VDS :-20V(極限值)
漏極電流ID:TA=25°時:-2.3A,TA=70°時:-1.5A
通態(tài)電阻RDS(on):0.145ohm(典型值)
柵極漏電流IGSS:±100nA
結(jié)溫:55℃to+150℃
封裝:SOT-23(TO-236)
詳情介紹: