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2012年全球前5大半導(dǎo)體廠資本支出占全球半導(dǎo)體資本支出達64%
日期：2024-12-29 06:51
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摘要：
2012年全球前5大半導(dǎo)體廠資本支出占全球半導(dǎo)體資本支出達64%
2012年全球半導(dǎo)體廠仍擴增資本支出，但集中在前幾大晶圓廠身上，涵蓋全球前5大半導(dǎo)體廠三星電子（Samsung Electronics）、英特爾（Intel）、臺積電、海力士（Hynix）和GlobalFoundries，其2012年的資本支出占全球半導(dǎo)體資本支出達64%。
2012年全球半導(dǎo)體廠仍擴增資本支出，但集中在前幾大晶圓廠身上，涵蓋全球前5大半導(dǎo)體廠三星電子（Samsung Electronics）、英特爾（Intel）、臺積電、海力士（Hynix）和GlobalFoundries，其2012年的資本支出占全球半導(dǎo)體資本支出達64%。
根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IC Insights統(tǒng)計，2012年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出約614億美元，相較于2011年656億美元約下滑6%，但其中有6家半導(dǎo)體業(yè)者在2012年的資本支出會較前一年增加，而前5大半導(dǎo)體廠的資本支出分別為三星電子131億美元、英特爾112億美元、臺積電約83億美元、海力士約37億美元、GlobalFoundries約31億美元。
對比7年前，也就是2005年時，全球前5大半導(dǎo)體廠的資本支出僅占全球40%，前10大半導(dǎo)體廠資本支出也僅占55%，顯見全球半導(dǎo)體廠未來是往經(jīng)濟規(guī)模越大者靠攏，且晶圓代工產(chǎn)業(yè)會是半導(dǎo)體廠紛紛欲跨入的領(lǐng)域。
在臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面，過去是以晶圓代工和存儲器為主，但自從DRAM產(chǎn)業(yè)逐漸沒落后，未來的成長動能會集中在晶圓代工產(chǎn)業(yè)身上，而2012年臺積電和聯(lián)電分別有在南科擴產(chǎn)12寸晶圓廠的動作。
